三星成功研发3nm芯片，功耗降低50%，性能提高30%

　　三星目前已经是全球最大的芯片生产商，在大量生产芯片的同事而在致力于芯片更好的研究，并且取得了很不错的成果。就比如基于全栅级(GAAFET)技术的3nm和1nm的工艺芯片成功研发。

　　GAA被认为是当前FinFET技术的升级版，能确保新品制造商进一步缩小体积，所以三星计划采用正在研发中的最新3nm GAA制程技术来制造尖端晶片的计划。GAA全能门和FinFET的区别在于GAA设计在沟道的四个边上都有栅，以确保降低漏电压合改善沟道的控制，是减少流程节点的基本步骤。而与5nm的FinFET工艺制程相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

　　事实上，三星在一年前就开始研究3nm GAA工艺。当时他们的目标是在2021年实现大规模生产，到2030年成为世界上第一家半导体制造商。在未来十年里，三星将在系统半导体领域中投入133万亿韩元，加强移动处理器、人工智能芯片等半导体设计，并培养代工事业竞争力，不得不说真的是野心勃勃。

　　反观对手台积电，该公司已经在规划量产3nm工艺制程，其位于南科的3nm厂环评已于去年顺利通关。落脚在新竹的3nm研发厂房环评也顺利通关初审，等到环评大会确认结论后，预计可顺利赶上量产时程。这样看来到了2022年，台积电和三星又会上演一次“神仙打架”。

　　值得一提的是，三星6nm芯片或许将会供应给高通，而台积电的6nm芯片则会供应给华为海思，届时高通骁龙、华为海思都将会推出一款中高端的5G芯片，他们都会采用6nm芯片工艺。这意味着台积电、三星也将会再次在6nm芯片代工领域展现其最强悍的实力。

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